特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1リール（5000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：225 mΩ
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：34 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-7426
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|