特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：33 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.038 Ω
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：74 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：906-4410
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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