特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1袋（4個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0086 Ω
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TDSON
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：156 W
- 寸法：6.1 x 5.35 x 1.1mm
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：906-4321
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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