64-1838-23　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 90 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン　IPD048N06L3GBTMA1

特徴

• Infineon　OptiMOS3個のパワーMOSFET、60　→　80　V
• OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。　これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
• 高速スイッチングMOSFET、SMPS用　DC/DCコンバータ用に最適化された技術　対象用途に対してJEDEC1に適合　Nチャンネル、ロジックレベル　優れたゲート電荷量　x　R　DS（on）製品（FOM）　超低オン抵抗　R　DS（on）　鉛フリーめっき

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：90　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：8.2　mΩ
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：115　W
• 寸法：6.73　x　7.36　x　2.41mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：178-5196