64-1808-03　［取扱停止］ルネサス　SRAM　4Mbit　512　K　x　8ビット　36-Pin　3.6　V　R1RW0408DGE-2PR#B0

特徴

• 低消費電力SRAM、R1RWシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
• R1RWシリーズは、システムのキャッシュやバッファメモリのような、高速かつ高密度のメモリと広いビット幅構成を必要とする用途に最も適したSRAMです。
• シングル3.3　V電源　アクセスタイム：　10　ns　/　12　ns　クロックやタイミングストロボは不要　アクセスタイムとサイクルタイムが同じ　入力　/　出力はすべてTTL対応

仕様

• 入数：1個
• メモリサイズ：4Mbit
• 構成：512　K　x　8ビット
• ワード数：512K
• 1ワード当たりのビット数：8bit
• 最大ランダムアクセス時間：12ns
• アドレスバス幅：8bit
• クロック周波数：1MHz
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：SOJ
• ピン数：36
• 寸法：23.62　x　10.29　x　3.05mm
• 高さ：3.05mm
• 動作供給電圧　Min：3　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：901-5761