特徴
- Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：190 mΩ
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：208 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：898-6882
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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