64-1795-67　Pチャンネル パワーMOSFET 30 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（10個入）　SPD30P06PGBTMA1

特徴

• Infineon　SIPMOSR　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　R　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。　SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：30　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：75　mΩ
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：125　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：898-6864