特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：550 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：380 mΩ
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：73 W
- 順方向ダイオード電圧：0.85V
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：897-7535
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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