64-1793-71 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（1000個入） IPB083N10N3GATMA1
[Infineon] IPB083N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：15.1 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：2990 pF @ 50 V
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：165-8268
