64-1793-62 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 7.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IPD60R600E6BTMA1
[Infineon] IPD60R600E6BTMA1 N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V CoolMOS E6, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- Infineon CoolMOSE6 / P6シリーズパワーMOSFET
- Infineon のCoolMOS E6及びP6シリーズのMOSFETです。 これらのデバイスは非常に効率が高く、力率補正（PFC）、照明、コンシューマデバイスだけでなく、太陽発電、通信、サーバーなど各種の用途で使用できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：600 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：63 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：897-7330
