64-1793-46　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　BSO613SPVGHUMA1

特徴

• Infineon　SIPMOSR　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　R　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。　SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：3.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：130　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-8063