64-1793-39　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 90 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン　IPB037N06N3GATMA1

特徴

• Infineon　OptiMOS3個のパワーMOSFET、60　→　80　V
• OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。　これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
• 高速スイッチングMOSFET、SMPS用　DC/DCコンバータ用に最適化された技術　対象用途に対してJEDEC1に適合　Nチャンネル、ロジックレベル　優れたゲート電荷量　x　R　DS（on）製品（FOM）　超低オン抵抗　R　DS（on）　鉛フリーめっき

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：90　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：4　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：188　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：897-7251