64-1778-63 ［取扱停止］Pチャンネル 小信号 MOSFET 980 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン BSP321PH6327XTSA1
[Infineon] BSP321PH6327XTSA1 P-Channel MOSFET, 980 mA, 100 V SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET
- Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
- ・ AEC Q101適合（データシートを参照してください） ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：980 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：900 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8 W
- 高さ：3.5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：892-2361
