特徴
- InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管
- Infineon製のデュアルゲート、低ノイズの4極管MOSFET RFトランジスタ
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：30 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：12 V
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-2.5 V, -2 V
- パッケージタイプ：SOT-143
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- カテゴリー：MOSFET 4極管
- 最大パワー消費：200 mW
- 幅：1mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-8252
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|