64-1735-29 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 59 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRFR7746PBF
[Infineon] IRFR7746PBF N-Channel MOSFET, 59 A, 75 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（75個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：59 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：75 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.2 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.7V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：99 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：145-8891
