64-1720-99 Pチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（10個入） STN3P6F6
[STMicroelectronics] STN3P6F6 P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V STripFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 STMicroelectronics
特徴
- PチャンネルSTripFETパワーMOSFET、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：160 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.6 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：877-2949
