64-1714-71 Pチャンネル パワーMOSFET 10 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット(2500個入) STS10P4LLF6
[STMicroelectronics] STS10P4LLF6 P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V STripFET, 8-Pin SOIC STMicroelectronics
特徴
- PチャンネルSTripFETパワーMOSFET、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:P
- 最大連続ドレイン電流:10 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:SOIC
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:2.7 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs:34 nC V @ 4.5
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:165-5564