64-1714-60 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 120 A 表面実装 パッケージH2PAK 3 ピン STH175N4F6-2AG
[STMicroelectronics] STH175N4F6-2AG N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V STripFET F6, 3-Pin H2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET F6、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：H2PAK
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：150 W
- 寸法：10.4 x 9.17 x 4.8mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5563
