特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：550 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SMPD
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：875-2500
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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