特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：334 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SMPD
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：24
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：680 W
- シリーズ：GigaMOS, HiperFET
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：875-2497
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|