特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1チューブ（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：300 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SMPD
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：24
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：570 W
- 標準ターンオン遅延時間：34 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-4792
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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