特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1チューブ（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：132 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：13 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SMPD
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：570 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：146-1770
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|