特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET GigaMOSシリーズ
仕様
- 入数：1チューブ（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：600 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SMPD
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：24
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-4791
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|