64-1692-64　Nチャンネル パワーMOSFET 522 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 6 ピン 1セット（800個入）　IRFS7430TRL7PP

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　40　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（800個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：522　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：40　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：750　μΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3.9V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：6
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：375　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：対象外
• コード番号：165-5324