特徴
- 低圧（LV） MOSFET
- この低圧（LV） MOSFETは、低いオン状態抵抗と高速スイッチング性能を発揮します。
仕様
- 入数：1リール（25個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：47 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：14 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.7V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：PowerDFN56
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：35.7 W
- 順方向ダイオード電圧：1.1V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：871-5012
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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