特徴
- 低圧（LV） MOSFET
- この低圧（LV） MOSFETは、低いオン状態抵抗と高速スイッチング性能を発揮します。
仕様
- 入数：1リール（25個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：14.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：1788 pF @ -15 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：871-4993
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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