特徴
- 低圧（LV） MOSFET
- この低圧（LV） MOSFETは、低いオン状態抵抗と高速スイッチング性能を発揮します。
仕様
- 入数：1リール（25個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：19 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.7V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：5.3 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：1017 pF @ 15 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：871-4978
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|