64-1676-08　マイクロチップ 32Mbit フラッシュ メモリ SPI 8-Pin WDFN 1セット（98個入）　SST26VF032B-104I/MF

特徴

• SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O　（SQI）　SuperFlashRメモリ
• Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O　（SQI）インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。　Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104　MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place　（XIP）機能が可能になります。　これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。　これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。　通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18　msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35　msです。
• 特長
• シリアルインターフェイスアーキテクチャ　ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造　x1　/　x2　/　x4シリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）プロトコル　高速クロック周波数　-　最大104　MHz　バーストモード　低消費電力　アクティブ読み取り15　mA　（104　MHz時の代表値）、スタンバイ15　μA（代表値）　高速消去時間　-　セクタ　/　ブロック消去：　18　ms（代表値）、チップ消去35　ms（代表値）　柔軟性の高い消去機能　ソフトウェア書き込み保護

仕様

• 入数：1チューブ（98個入）
• メモリサイズ：32Mbit
• インターフェースタイプ：SPI
• パッケージタイプ：WDFN
• ピン数：8
• 構成：4　M　x　8ビット
• 実装タイプ：表面実装
• セルタイプ：スプリットゲート
• 動作供給電圧　Min：2.7　V
• 動作供給電圧　Max：3.6　V
• ブロック構成：対称
• 長さ：6mm
• 高さ：0.75mm
• 幅：5mm
• 寸法：6　x　5　x　0.75mm
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：159-7516