64-1661-21　Nチャンネル パワーMOSFET 180 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン 1セット（2個入）　IRFB4110GPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　100　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。　さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1チューブ（2個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：180　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.5　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：TO-220AB
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：370　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：865-5807