64-1661-18 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 120 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン IRFB3307PBF
[Infineon] IRFB3307PBF N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：75 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：6.3 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：200 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5450
