64-1661-10 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 700 mA 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF6217TRPBF
[Infineon] IRF6217TRPBF P-Channel MOSFET, 700 mA, 150 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（25個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：700 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.4 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：865-5771
