64-1655-18 Nチャンネル パワーMOSFET 229 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 7 ピン 1セット（800個入） FDB024N08BL7
[ON Semiconductor] FDB024N08BL7 N-Channel MOSFET, 229 A, 80 V PowerTrench, 7-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：229 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：80 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.4 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：246 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-3399
