64-1646-52 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン HUFA76419D3ST
[ON Semiconductor] HUFA76419D3ST N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V UltraFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor
- UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS（on）、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
- 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：37 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：75 W
- 高さ：2.39mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-2387
