64-1645-45　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 11.4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン　FQB11P06TM

特徴

• QFETR　PチャンネルMOSFET、Fairchild　Semiconductor
• Fairchild　Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。　これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。　高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：11.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：175　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-25　V,　+25　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：53　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：862-8750