64-1630-56 Nチャンネル パワーMOSFET 110 A 表面実装 パッケージH2PAK 3 ピン 1セット（1000個入） STH150N10F7-2
[STMicroelectronics] STH150N10F7-2 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V DeepGate, STripFET, 3-Pin H2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET DeepGate、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：110 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.9 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：H2PAK
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：250 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-8819
