64-1599-32 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IPB100N04S4H2ATMA1
[Infineon] IPB100N04S4H2ATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V OptiMOS T2, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- Infineon OptiMOS T2パワーMOSFET
- Infineonの新しいOptiMOS -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS -T及びOptiMOSの拡張ファミリです。 OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。
- Nチャンネル - 強化モード AEC認定 MSL1、最大260 °Cピークのリフロー 175 °Cの動作温度 環境配慮製品（RoHS対応）
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：115 W
- 寸法：10 x 9.25 x 4.4mm
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：857-8652
