64-1598-95 Nチャンネル パワーMOSFET 120 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1セット（1000個入） BSP125H6327XTSA1
[Infineon] BSP125H6327XTSA1 N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V SIPMOS, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：45 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.8 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5811
