特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1チューブ（500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：83A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：10.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：I2PAK （TO-262）
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：214 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：857-4650
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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