64-1591-85 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 70 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IPB70N10S3L12ATMA1
[Infineon] IPB70N10S3L12ATMA1 N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V OptiMOS T, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- Infineon OptiMOSTパワーMOSFET
- OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
- Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 °Cのピークリフロー 175 °Cの動作温度 環境配慮製品（RoHS対応）
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：70 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：15.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：857-4495
