64-1475-49　［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 2.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（4000個入）　IRF7104TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET12→20V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：2.3　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：400　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-5596