64-1475-47 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（4000個入） IRF7103TRPBF
[Infineon] IRF7103TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET55V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：50 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-8757
