64-1475-46 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7101TRPBF
[Infineon] IRF7101TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：150 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 長さ：5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：831-2862
