64-1475-43　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 18 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピン　IRF640NLPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET150→600V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1チューブ（50個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：18　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：150　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：I2PAK　（TO-262）
• 実装タイプ：スルーホール
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：150　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：145-8857