64-1475-42 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 27 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IRF6218STRLPBF
[Infineon] IRF6218STRLPBF P-Channel MOSFET, 27 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：27 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：150 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：250 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5679
