64-1475-38 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 2.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF6216TRPBF
[Infineon] IRF6216TRPBF P-Channel MOSFET, 2.2 A, 150 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5678
