64-1475-37 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 27 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF6201TRPBF
[Infineon] IRF6201TRPBF N-Channel MOSFET, 27 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET12→25V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：27 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：8555 pF @ 16 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：831-2843
