64-1475-29 Pチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（5個入） IRF5210STRLPBF
[Infineon] IRF5210STRLPBF P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：38 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：170 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：831-2825
