64-1474-55　ショットキーバリアダイオード 4A 50V 表面実装 2-Pin DO-221BC ショットキー 590mV 1袋（40個入）　V4PAN50-M3/I

特徴

• TMBS-TrenchMOSバリアショットキー整流器、最大20A、VishaySemiconductor
• VishayのTrenchMOSバリアショットキー（TMBS）整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。動作電圧が45Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。
• 特長
• 特許取得済みのトレンチ構造AC/DCスイッチモード電源とDC/DCコンバータの効率性が向上高電力密度と低順方向電圧を実現

仕様

• 入数：1袋（40個入）
• ダイオード構成：シングル
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• ピーク逆繰返し電圧：50V
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：DO-221BC
• ダイオードタイプ：ショットキー
• ピン数：2
• 最大順方向降下電圧：590mV
• 長さ：4.35mm
• 幅：2.7mm
• 高さ：1mm
• 寸法：4.35　x　2.7　x　1mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：830-6218