64-1473-52　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 4 A 表面実装 パッケージTSOP 6 ピン　IRF5806TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET12→20V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（25個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：147　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.2V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.45V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：TSOP
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：6
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：830-3509