64-1473-06 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRLR8259TRPBF
[Infineon] IRLR8259TRPBF N-Channel MOSFET, 57 A, 25 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET12→25V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（2000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：57 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：12.9 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.35V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.35V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：48 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5897
